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在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom—contact organic thin—film transistors,BCOTFYs)和顶电极(Top—contact organic thin—film transistors,TC—OTFYs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC—OTFYs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道