Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响

来源 :爆破器材 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FSFASF
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6μm厚度的Al/MoO3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响。研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加。
其他文献
运用密度泛函B3LYP方法,以6-31G*为基组,对季戊四醇四硝酸酯(PETN)和它的4个五氟硫基(—SF_5)取代物五氟硫基季戊三醇三硝酸酯(PPTN)、二-五氟硫基季戊二醇二硝酸酯(PDPDN)、三-五氟硫
高等院校应主动而不是被动地适应并参与社会主义市场经济体制的建立;不是随机地而是遵循教育规律,在市场经济中发展高等教育;应发挥高校优势和特长,在市场经济中增强综合校力;要把
社会主义矛盾运动并非总是前进上升运动,它在客观上区分为优化运动和扭曲运动。矛盾优化运动是社会主义优越性充分发挥的结果,矛盾扭曲运动是社会主义缺点放大的产物。当党的路
怎样坚持马克思主义──再谈邓小平的马克思主义观冯干文怎样坚持马克思主义,这是邓小平马克思主义观要回答的另一个基本问题。笔者在《什么是马克思主义?》一文中已经说明,邓小
对二硝酰胺铵(ADN)的球形化技术进行了比较详细的综述。从乳液球形化、喷雾球形化、喷射研磨球形化、超声波球形化、微反应球形化技术及膜乳化结晶新技术等几方面介绍了ADN球
研究社会主义发展曲折性的根本原因,应当从社会主义本身的内在矛盾中去寻找。社会主义基本矛盾既是社会主义发展的根本动力,又是社会主义发展曲折性的内在根源。社会主义社会生
苏东剧变对东欧共产党造成了致命打击。但是,它们并未完全消失匿迹,而是演变成社会民主党(社会党),并作为中东欧左翼政党的主要力量继续活跃在政治舞台上。中东欧左翼政党与右翼政
【正】 江泽民同志在《学习〈邓小平文选〉第三卷报告会上的讲话》中指出:“在《邓小平文选》第三卷中,反复强调的一个主题,就是只有社会主义才能救中国,只有社会主义才能发
化学敏化是一种广泛采用的、方便快捷的敏化方式,相对物理敏化而言,化学敏化受较多因素影响,但缺乏对影响因素的系统性分析。研究了NaN〇2用量、pH、不同强度酸、促进剂、温
首先采用电化学沉积法在碳纳米管中沉积铜,再利用叠氮化反应制备填充叠氮化铜的碳纳米管纳米材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线