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在原有3英寸〈100〉区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4英寸〈100〉晶向的区熔硅单晶,满足了对大直径〈100〉区熔硅单晶生长的需求。所生长的〈100〉晶向的硅单晶具有机械强度高、径向电阻率均匀性好的特点。
4英寸〈100〉区熔硅单晶生长研究
【摘 要】
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在原有3英寸〈100〉区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4英寸〈100〉晶向的区熔硅单晶,满足了对大直
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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天津科技
【发表日期】
：
2010年6期
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