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对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2-3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心.
脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响
【摘 要】
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对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2-3倍,高场下提高一个数量级
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海,200072伍伦贡大学电子材料与超导研究所,伍伦贡,2522,澳大利亚;
【出 处】
：
物理学报
【发表日期】
：
2006年9期
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