【摘 要】
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基于第一性原理方法,研究了单层本征磷砷AsP和过渡金属钯(Pd)掺杂磷砷AsP的结构,并对比研究了本征和掺杂后的AsP吸附甲醛(HCHO)和一氧化碳(CO)气体分子的稳定性、能带结构、
【机 构】
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西南交通大学物理科学与技术学院,成都611756
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基于第一性原理方法,研究了单层本征磷砷AsP和过渡金属钯(Pd)掺杂磷砷AsP的结构,并对比研究了本征和掺杂后的AsP吸附甲醛(HCHO)和一氧化碳(CO)气体分子的稳定性、能带结构、态密度以及电荷差分密度.研究结果表明:经Pd掺杂后AsP由半导体转变为导体;本征AsP吸附一氧化碳最稳定的位置为P-As键顶上,吸附甲醛最穗定的位置为P原子顶上;本征吸附时气体分子与基底之间的距离在3?左右,气体分子与基底之间未形成化学键.过渡金属Pd原子掺杂AsP后形成两种结构,分别为Pd原子替换超胞结构中的As原子或P原子.两种掺杂结构分别吸附一氧化碳或甲醛气体分子时,除了Pd原子替换AsP中的As原子形成的结构吸附甲醛的吸附能未明显增加外,其余掺杂结构吸附一氧化碳或甲醛的吸附能和电荷转移较本征吸附时均显著增强,吸附CO分子时,C原子与Pd原子之间形成了化学键.特别是,Pd原子替换AsP中的P原子形成的结构对一氧化碳和甲醛气体分子的吸附性能明显强于Pd原子替换AsP中的As原子所形成的结构.
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