Eu2+掺杂Sr2SiO4长余辉材料的热释光研究

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采用高温固相法在弱还原的气氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黄色长余辉材料。通过X射线衍射(XRD)分析发现所制得的样品属于α′-Sr2SiO4斜方晶系结构;样品的光致发光特性表明,在320nm激发光的照射下,出现峰位为490nm的宽带发射峰。样品余辉特性显示:样品的余辉衰减曲线符合双指数衰减。在温度293~598K内样品有4个热释光峰,峰值温度在346,420,457和552K附近。不同的等待时间热释光曲线表明:在衰减过程中,热释光峰位置发生移动,显示材料中存在缺陷能带;同时不同深度的陷阱能级衰减规律不同,表明了陷阱能级之间存在电子转移现象。
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