【摘 要】
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为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤（COD）,采用无杂质空位扩散（IFVD）法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移。使用等离子化学气
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为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤（COD）,采用无杂质空位扩散（IFVD）法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移。使用等离子化学气相沉积（PECVD）在InGaAs/AlGaAs量子阱的表面生长SiO2电介质层;然后采用IFVD在N2环境下进行高温退火实验,从而实现量子阱混杂（QWI）。实验结果表明：蓝移量的大小随退火时间和电介质层厚度的变化而变化,样品覆盖的电介质层越厚,在相同的退火温度下承受的退火时间越长,得到的蓝移量也越大。然而,在高温
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