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报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术．高反射率的SiO2／Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上，然后键合到InGaAs有源区上，键合温度为350℃，无需特殊表面处理，反射镜的反射率可以高达99．9％以上，制作工艺简单，价格便宜．并获得硅基峰值响应波长为1.54μm，量子效率达22．6％的窄带响应，峰值半高宽为27nm．本方法有望用于工业生产。