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本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3（STO）和La0.9Sr0.1MnO3（LSMO）薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究，结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层，且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同；选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[^-110]Si，[110]LSMO//[001]Si[001]STO，//[001]Si，[010]STO//[110]Si；电