论文部分内容阅读
报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺，在p型SIMOX(separation by implanted oxygen）硅片上成功制造的一种单电子晶体管。特别是，提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流-电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。器件的总电容约为9.16aF。在77K工作温度下，也观测到明显的电流-电压振荡特性。