【摘 要】
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日本电气公司生产出用于K波段12GHz的砷化镓FET薄膜组件.该组件内含两个金属半导体FET和阻抗匹配电路等,输入输出阻抗为50Ω.有MC-5875A/B两种型号,在11.7～12.2GHz(带宽500MH
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日本电气公司生产出用于K波段12GHz的砷化镓FET薄膜组件.该组件内含两个金属半导体FET和阻抗匹配电路等,输入输出阻抗为50Ω.有MC-5875A/B两种型号,在11.7～12.2GHz(带宽500MHz)时,MC-5875A(前级用放大电路)的最大噪声系数为2.2dB,最小增益为16dB;MC-5875B(末
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