【摘 要】
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对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系
【基金项目】
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Supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 10175040） （Grant No. 10575069）, Foundation ofShanghai Educational Committee （Grant No. 02AK30）, and Shanghai Leading Academic D
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对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
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