【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法在硅衬底上成功制备出厚度约200nm的PZT薄膜,并以差热实验为基础,分别采用600℃、650℃和700℃三种退火温度,并对不同温度下的薄膜进行拉曼测试,分析三方-四
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家863重大项目（项目编号：2006AA040601）、电子测试技术国家级重点实验室开放基金、微米纳米加工技术国家级重点实验室开放基金
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采用溶胶-凝胶法在硅衬底上成功制备出厚度约200nm的PZT薄膜,并以差热实验为基础,分别采用600℃、650℃和700℃三种退火温度,并对不同温度下的薄膜进行拉曼测试,分析三方-四方相变趋势,研究结果表明,中频区域的A1（2TO）振动模作为四方的一个标志,随着退火温度的升高强度逐渐增强,三方向四方转变;高频范围的A1（3TO）T振动模随着退火温度的升高强度也在逐渐增强,三方晶胞在减少而四方晶胞在增多,即随着退火温度的升高,三方有向四方转变的趋势。
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