La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chinaiddm599

【摘要】

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利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4T

【作者】

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郭冬云王耘波于军高俊雄李美亚

【机构】

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武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

铁电性能 Bi4Ti3O12薄膜 Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜 sol-gel法 La掺杂

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利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.

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