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氢化非晶硅薄膜对C—MOS集成电路的钝化保护作用

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshiwl0000

【摘 要】

：

本文指出,用α-Si∶H膜钝化CH 4081型中规模电路能明显地降低反向漏电流,使场开启电压提高;配对管开启电压匹配良好,从而使动态工作电压由5.0V下降到3.0V。半绝缘性α-Si∶H

【作 者】

：

何宇亮 孙明浩 薛自 李广根 顾青 

【机 构】

：

南京大学物理系,上海无线电十四厂

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1989年1期

【关键词】

：

氢化 非晶硅 薄膜 C-MOS 钝化 

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本文指出,用α-Si∶H膜钝化CH 4081型中规模电路能明显地降低反向漏电流,使场开启电压提高;配对管开启电压匹配良好,从而使动态工作电压由5.0V下降到3.0V。半绝缘性α-Si∶H膜对外界干扰有屏蔽效果,可使C—MOS器件阈值电压的负漂移减小。研究了α-Si∶H钝化膜的抗高能粒子的辐照作用,仅2000～3000（?）厚的α-Si∶H膜能使CH4081电路的抗辐照能力由10¹⁰e/cm²提高到大于10<s

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