【摘 要】
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在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~[1 3]和 256K位 MOS静态存贮器(SRAM)~[4]技术,在一块芯片上集成
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在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~[1 3]和 256K位 MOS静态存贮器(SRAM)~[4]技术,在一块芯片上集成了100万只以上元件,从而标志着进入了超超大规模集成电路(ULSI)时代。 在这种ULSI中,由于集成度提高了。最小条宽到了亚微米,于是产生了LSI存
At the International Electronics Conference (’83IEDM) by the end of 1983 and the International Community Circuit Conference (’84ISSCC) in 1984, IM-bit dynamic memory (DRAM) ~ [13] and 256K bit MOS static memory SRAM) ~ [4] technology, integrated more than one million components on a single chip, marking the entry into the ultra-large scale integrated circuit (ULSI) era. In this kind of ULSI, the integration is improved. The width of the smallest sub-micron, resulting in LSI storage
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