基于0.18μm RF CMOS工艺的低相噪宽带LC VCO设计

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介绍了一种低功耗、低相噪和超宽频率覆盖范围的全差分电感电容结构的压控振荡器(VCO)设计。采用开关控制的二进制MIM电容阵列对频率进行粗调,再结合MOS可变电容进行微调,实现了极大的频率覆盖范围。流片采用TSMC的0.18μm、5层金属RF CMOS工艺,所用无源器件全部片内集成。在1.8V电源供电情况下,该VCO仅仅消耗3mA的电流。测试结果表明,该VCO能够覆盖1.65~2.45GHz的频率范围,并且增益控制在100MHz/V以下。在1.65GHz频率下20kHz频偏处的相位噪声仅-87.88dBc/
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