【摘 要】
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基于应变张量理论,建立未应变ZnO与不同Mg组分表征的应变ZnO/Zn1-xMgxO超胞模型,进而采用密度泛函理论框架的第一性原理平面波规范-守恒赝势方法,研究应变ZnO的电学和光学特
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室; 西藏民族学院信息工程学院;
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2014CC339900);国家自然科学基金(60776034,61162025)项目
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基于应变张量理论,建立未应变ZnO与不同Mg组分表征的应变ZnO/Zn1-xMgxO超胞模型,进而采用密度泛函理论框架的第一性原理平面波规范-守恒赝势方法,研究应变ZnO的电学和光学特性。计算结果表明,导带电子有效质量随应力增加而稍有增加;"重空穴"带和"轻空穴带"的空穴有效质量几乎未受到应力的影响,而场致分裂带空穴有效质量随应力增加而明显减小,该结果与KP法计算结果一致。光学特性研究表明,在2340 eV高能段,由于应变ZnO的反射率和吸收值均小于未应变ZnO的反射率和吸收值,表明应变ZnO在高能段平均光透射率增加。
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