论文部分内容阅读
在等离子体掺杂过程中,等离子体中的杂质,既可能通过扩散也可能通过离子注入的方式进入半导体。本文首先假设杂质以离子注入的形式进入半导体,基于杂质的浓度分布,借助LSS理论推出该情况下杂质的注入深度的表达式并计算出杂质的注入深度,然后与实验结果对比,发现计算值远小于实验值,得出假设不成立,进而推出杂质进入半导体的主要方式是扩散而不是离子注入。