【摘 要】
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本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位
【机 构】
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机电部第13研究所,机电部第13研究所石家庄050051,石家庄050051
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本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位单片集成GaAs MESFET D/A转换电路。测试结果表明,该电路分辨率为4位,转换速率办1Gs/s,建立时间小于1.0ns,微分线性误差小于±1/2LSB,功耗约为20mW。
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