【摘 要】
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在标准CMOS工艺参数基础上,设计了三种(P+/Nwell型,Nwell/Psub型和N+/Psub型)光电探测器。通过对光电转换原理的详细分析以及数学模型的建立,理论上比较了三种探测器在灵敏度
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【基金项目】
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复旦大学微纳电子科技创新平台资助
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在标准CMOS工艺参数基础上,设计了三种(P+/Nwell型,Nwell/Psub型和N+/Psub型)光电探测器。通过对光电转换原理的详细分析以及数学模型的建立,理论上比较了三种探测器在灵敏度,暗电流,峰值响应波长等特性的差异,阐述了掺杂浓度,结深等工艺参数对器件性能的影响,并且采用SMIC0.18μmCMOS工艺进行流片验证。测试结果表明,P+/Nwell型结构最大灵敏度为0.08A/W,峰值响应波长460nm,暗电流55nA/cm2;Nwell/Psub型结构最大灵敏度为0.35A/W,峰值响应波长580nm,暗电流64nA/cm2;N+/Psub型结构最大灵敏度为0.29A/W,峰值响应波长580nm,暗电流600nA/cm2。测试结果表明,所设计的光电探测器性能与理论分析基本一致,在灵敏度,响应波长方面性能突出。
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