【摘 要】
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制备了一种采用多层氧化物复合阴极的透明OLED,器件结构为：ITO/MoO3（10nm）/NPB（60nm）/Alq3（65nm）/Al（1nm）/MoO3（1nm）/Al（Xnm）/MoO3（30nm）。所采用的复合阴极结构为MoO3/Al/MoO3（MAM）,同时在复
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制备了一种采用多层氧化物复合阴极的透明OLED,器件结构为：ITO/MoO3（10nm）/NPB（60nm）/Alq3（65nm）/Al（1nm）/MoO3（1nm）/Al（Xnm）/MoO3（30nm）。所采用的复合阴极结构为MoO3/Al/MoO3（MAM）,同时在复合阴极（MAM）与电子传输层（Alq3）中间插入一层厚度为1nm的Al中间层,该薄Al层一方面提高了电极与有机层间界面的平整度,同时增强了电极的导电性;另一方面,在电子传输层与中间层Al薄膜之间形成了良好的欧姆接触,提高了电子的注入能力。
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