论文部分内容阅读
用单能慢正电子束和X射线衍射方法研究了Al/n-GaSb金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既Al/界面/GaSb对S-E实验数据进行拟合.结果发现在未退火样品的Al和GaSb之间存在一个厚度大约5 nm的界面层.在经过400℃退火后,该界面厚度增加到约400 nm,且S参数下降.这可能是由于在退火过程中,界面区域的原子在界面处相互扩散所引起的.Al膜的SAl参数降低且有效扩散长度LAi增加,说明Al膜内的空位缺陷经过退火被消除且进行结构重整,晶格结构不断变好的结果.衬底GaSb的S