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粉末冶金学处理在矩阵先令温度上面包含 hot-pressing 生产的 SiC//p/Al composites 的接口借助于 TEM 被调查了。在加强和矩阵在之间的几种接口合成包括反应连接的干净接口， faceted 接口和忽视，被介绍。并且大多数接口属于有从 MgAl//2O//4 尖晶石和杂质生产的接口地区和像粒子的物质附近的艾尔矩阵的不同取向的艾尔镇静的细微反应接口。(编辑作者摘要) 11 个裁判员。