BiOI及其异质结复合材料的光催化性能研究

来源 :中国战略新兴产业 | 被引量 : 0次 | 上传用户:JasonCrazy
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半导体光催化氧化技术具有操作简单,反应条件温和,能耗低和二次污染少等优点.BiOI半导体材料的带隙为1.7-1.9 eV,其对太阳光的吸收边可达680 nm,能覆盖大部分可见光区域,具有良好的可见光响应,与其它半导体形成的异质结复合材料会表现出更好的光催化性能.本文综述了片状微球BiOI材料、BiOI/BiVO4和BiOI/MoS2异质结复合材料的制备方法及其在光催化有机物降解方面的应用,探讨了BiOI半导体催化材料存在的问题及发展方向.
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