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β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长方法。
低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长技术研究
【摘 要】
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β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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河南科技
【发表日期】
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2016年13期
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