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英特尔近期推出了一款使用Strataflash技术的存储芯片，通过该技术能够实现在一个单元上使用不同的电位存储两个字节的信息，这样一来，与标准闪存芯片相比，其数据存储精密度提升了一倍．选种采用90纳米工艺的制造的V18闪存芯户是第五代Strataflash技术的结晶．其数据密度是现有采用130纳米工艺制造的闪存芯片的两倍。