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结合压力传感器氧化绝缘纳米结构的制作，研究了基于AFM的纳米阳极氧化加工过程中偏置电压与环境温度、湿度等对氧化点尺寸的影响。实验结果表明，氧化点的尺寸随偏置电压和环境湿度的增大而增大，但过高的偏置电压和环境温度将会造成氧化点表面产生台阶现象；环境温度22℃，偏置电压8V，环境湿度50％，氧化时间8s，对于n型Si（100）的氧化加工而言是相对合适的加工参数。