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研究了一种利用纳米金属掩膜和离子辐照技术在高温超导YPCO薄膜上制备Josephson结的方法。首先用在YPCO薄膜甩上一层800nm左右的光刻胶（PMMA），继而在光刻胶上用直流磁控溅射的方法镀上一层大约300nm左右的Cr膜，利用紫外曝光和离子刻蚀的方法在YBCO薄膜上形成覆盖有Cr膜的微桥，然后，利用聚焦离子束系统（FIB）在微桥上刻出一个50nm左右的狭缝，最后利用120keV的H^2＋对狭缝内的材料进行辐照，从而使狭缝部分的材料超导电性减弱，形成类似SNS型的Josephson结。