【摘 要】
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氮化钽薄膜作为混合集成电路重要的电阻材料广泛受到人们的重视和应用。我们采用直流平面磁控反应溅射工艺制得氮化钽薄膜,实验研究了溅射过程中氮分压P_(N_2)与沉积所得的
【机 构】
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南京工学院,南京工学院,南京工学院
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氮化钽薄膜作为混合集成电路重要的电阻材料广泛受到人们的重视和应用。我们采用直流平面磁控反应溅射工艺制得氮化钽薄膜,实验研究了溅射过程中氮分压P_(N_2)与沉积所得的含氮钽薄膜的结晶相结构和薄膜电阻率ρ、电阻温度系数TCR之间的关系。发现
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