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本文论述了HgCdTe光伏探测器的I-V特性和暗电流机制，讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响．
热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响
【摘 要】
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本文论述了HgCdTe光伏探测器的I-V特性和暗电流机制，讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响．
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2006年1期
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