【摘 要】
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本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火
【机 构】
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贵州大学理学院,贵州财经学院教育管理学院,贵州师范大学物理与电子科学学院,
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本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。
In this paper, MBE was used to grow InAs / GaAs and InGaAs / GaAs QDs, real-time monitoring with RHEED and the growth rate by RHEED intensity oscillation. The growth of InAs / GaAs and InGaAs / GaAs quantum dots is compared with that of annealing. It is observed that the time required for InAs is much shorter than that of InGaAs when the RHEED diffraction pattern changes from stripe to grid. InAs is longer than InGaAs for the time it takes for a RHEED diffractive image to return to the streak.
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