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用常压化学气相淀积法在（１００）Ｓｉ衬底上异质外延生长了３Ｃ－ＳｉＣ薄膜。为减小３Ｃ－ＳｉＣ与硅之间的晶格失配，在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层，确定了形成缓支的最佳条件。测量结果表明，１３００℃下在Ｓｉ℃衬底缓冲层上可以获得３Ｃ－ＳｉＣ单晶。
硅基3C—SiC薄膜的外延生长技术
【摘 要】
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用常压化学气相淀积法在（１００）Ｓｉ衬底上异质外延生长了３Ｃ－ＳｉＣ薄膜。为减小３Ｃ－ＳｉＣ与硅之间的晶格失配，在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层，确定了形成缓支的最佳条件。测量结果表
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 !( 6 9772 0 2 3 )
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