电离层特征参量的自相关原理插值方法

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通过选用合适的电离层平稳性参数,建立相麻的正定自相关系数模型,利用自相关分析原理,提出了一种针对电离层特征参量历史缺失数据插值处理的新方法.该方法能够提高Muhtaxov和Kutiev在1999年提出的自相关系数法的插值精度,通常情况下可以把误差降低1到2个百分点以上,有时甚至能降低接近9个百分点,在很大程度上改善了对电离层历史缺失数据的插值处理效果.此外,本文还对插值误差随季节、太阳活动性和地理纬度等的变化规律进行了分析.
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