【摘 要】
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介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备,用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明:在100mm硅片表面涂上9912光刻胶,用等离子体进行清洗的速率可达50
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介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备,用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明:在100mm硅片表面涂上9912光刻胶,用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min,测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系;并对离子注入(B+, 5×1015cm-2)后的光刻胶进行了清洗实验,得到清洗速率为300nm/min。清洗后的电镜分析证明,经等离子体清洗后,硅片表面无损伤、无残胶。
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