射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计

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描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep—N—Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题。该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,
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