【摘 要】
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提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法 ,并通过MPW在charted 0 35 μm工艺中实现 .为了减小串连电阻 ,肖特基的版图采用了交织方法 .对所设计的肖特基二极管进
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433,上海20043
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提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法 ,并通过MPW在charted 0 35 μm工艺中实现 .为了减小串连电阻 ,肖特基的版图采用了交织方法 .对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I V ,C V和S参数 ,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压 .最后给出了可用于SPICE仿真的模型 .
A method of integrating Schottky diodes in a standard CMOS process is proposed and implemented in a charted 035 μm MPW process. In order to reduce the series resistance, Schottky’s layout uses an interleaving method. Schottky diode was measured to obtain IV, CV and S parameters, and calculate the measured Schottky diode saturation current, barrier voltage and reverse breakdown voltage.Finally, a model can be used for SPICE simulation.
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