MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究

来源 :国外金属热处理 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Water_E

【摘要】

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利用金属蒸发真空孤（ＭＥＶＶＡ）离子源将Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入到不同厚度热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄膜，获得高浓度Ｅｒ掺杂硅基发光薄膜。ＲＢＳ分析表明，稀土元素Ｅｒ离子掺杂到热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄的Ｅｒ原子浓度百分比达到－１０ａｔ，即Ｅｒ原子体浓度为－１０＾２１／ｃｍ＾３这是

【作者】

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徐飞程国安

【机构】

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南昌大学材料科学与工程系,北京师范大学低能核物理研究所

【出处】

：

国外金属热处理

【发表日期】

：

2000年2期

【关键词】

：

MEVVA离子源掺杂热氧化双注入硅光致发光

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利用金属蒸发真空孤（ＭＥＶＶＡ）离子源将Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入到不同厚度热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄膜，获得高浓度Ｅｒ掺杂硅基发光薄膜。ＲＢＳ分析表明，稀土元素Ｅｒ离子掺杂到热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄的Ｅｒ原子浓度百分比达到－１０ａｔ，即Ｅｒ原子体浓度为－１０＾２１／ｃｍ＾３这是高能离子注入所不能达到的，它为稀土Ｅｒ离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。ＸＰＳ研究发现，热氧化ＳｉＯ２膜厚，溅射保留量

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