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利用金属蒸发真空孤(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,稀土元素Er离子掺杂到热氧化SiO2/Si薄 的Er原子浓度百分比达到-10at,即Er原子体浓度为-10^21/cm^3这是高能离子注入所不能达到的,它为稀土Er离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。XPS研究发现,热氧化SiO2膜厚,溅射保留量