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针对电荷耦合器件（CCD）在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响，对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先，通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验，在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化，并拟合计算出暗信号斜率。然后，对比分析了不同偏置条件下辐照后暗信号退化的试验规律；分析了不同偏置条件下辐照后暗信号的退火恢复情况；分析了不同积分时间、不同总剂量下的暗信号不均匀性的变化规律。最后，阐述了电离辐照损伤诱发面阵CCD暗信号增大的物理机制。结果表明：面阵CCD对电