InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wojiushishashou47
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采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号 Gum mel- Poon模型参数 ,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的 190 0 MHz两级 AB类功率放大器 .该功放的功率增益为 2 6 d B,1d B压缩点输出功率为 2 8d Bm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为 38.8%、- 30 .5 d Bc,1d B压缩点处的各阶谐波功率均小于 - 4 0 d Bc.
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