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详细介绍了近年来低温温度传感器的γ和中子＋γ辐照效应的研究成果，γ辐照试验的剂量为１０＾４Ｇｙ中子＋γ辐照试验的最大通量和剂量为８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２和９９３Ｇｙ。总的看来，Ｓｉ二极这不同适用于两种辐照环境下的使用，在γ辐照中，Ｇｅ电阻的低温性能最好，ＲｈＦｅ电阻在１．４Ｋ～３００Ｋ的内性能良好，在中子＋γ辐照试验中渗Ｃ玻璃电阻低温性能最好，Ｐｔ电阻在较高温域性能最好。