【摘 要】
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响。通过P2p、In4d芯能级谱的变化，对Na/InP(100)表面的氮化反应研究表明，碱金属Na的吸附对InP
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,中国科学技术大
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响。通过P2p、In4d芯能级谱的变化，对Na/InP(100)表面的氮化反应研究表明，碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用，即使采用N2/Na/N2/Na/N2/Na/InP(100)的类多层结构，在室温下也只有极少量的氮化物形成，而无明显的催化氮化反应发生。碱金属吸附层对Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化反应的催化剂制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制，碱金属对元素半导体的催化氮化反应，吸附的碱金属与元素半导
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