Analysis of the abnormal resistance in AlGaN/GaN heterostructure＇s ohmic contact tests

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：proshyrain

【摘要】

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Ti/Al/Ti/Au 和 Ti/Al/Ni/Au 欧姆的接触在快速的热处理的不同温度(RTF ) 下面在 AlGaN/GaN heterostructure 上被制作。因为反常抵抗价值在测试的接触抵抗期间被观察，样品的

【作者】

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XU Chuan WANG Jinyan JIN Haiya

【机构】

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InstituteofMicroelectronics

【出处】

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稀有金属：英文版

【发表日期】

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2007年5期

【关键词】

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半导体技术反常电阻异质结构裂缝 semiconductor technology abnormal resistance EDX AlGaN/GaN

【基金项目】

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AcknowledgementsWe wish to acknowledge the Engineering Research Institute, Peking University for funding the project and also thank the Research Center for Wide Gap Semiconductor and Electron Microsco

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Ti/Al/Ti/Au 和 Ti/Al/Ni/Au 欧姆的接触在快速的热处理的不同温度(RTF ) 下面在 AlGaN/GaN heterostructure 上被制作。因为反常抵抗价值在测试的接触抵抗期间被观察，样品的表面形态学和接触边阶被分析决定物理机制。如此的反常现象被发现从在 RTF 期间 AlGaN 层裂开发源，沿着有 AlGaN/GaN 的金属性的液体的缝隙，和连续反应的 Ti/Al 金属性的液体流动。如此的过程导致反常传导隧道。缝隙形成的可能的机制被讨论，并且避免缝隙的可能的答案被建议。

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