为了提高微晶玻璃化学机械抛光（CMP）的材料去除速率（MRR），降低其表面粗糙度，利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光，研究了4种含不同磨料（ SiO2、Al2 O3、Fe2 O3、CeO2）的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响．利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位，利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌．实验结果表明，在相同条件下，采用CeO2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得最好的表面质量，抛光后材料的表面粗糙度Ra ＝0．4 nm， MRR＝100．4 nm／min．进一步研究了抛光液中不同质量分数的CeO2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响，结果表明，当抛光液中CeO2质量分数为7％时，最高MRR达到185 nm／min，表面粗糙度Ra ＝1．9 nm；而当抛光液中CeO2质量分数为5％时， MRR＝100．4 nm／min，表面粗糙度最低Ra ＝0．4 nm．CeO2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR．