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利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带．通过扫描电子显微镜、x射线能谱仪对样品进行表征．利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件，研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性．结果表明，In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带，电阻仅为纯ZnO纳米带的1／50，但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带，开关比仅为纯ZnO纳米带的1／20．