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中国科学院上海做系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究方面取得新进展，在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅介质／沟道界面钝化层，以调制界面特性，有望解决未来非硅微电子时代锗材料替代硅材料面临的栅介质／沟道界面不稳定的难题。
上海微系统所锗基石墨烯应用研究获进展
【摘 要】
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中国科学院上海做系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究方面取得新进展，在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅介质／沟道界面钝
【机 构】
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科苑
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2015年9期
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