论文部分内容阅读
目的:研究一氧化氮(NO)对缺血性半暗带神经元死亡方式的影响.方法:在大鼠局灶性脑缺血/再灌注后不同时段上,以光镜、电镜和TUNEL法观察半暗带内细胞死亡方式,分别应用神经源性一氧化氮合酶(nNOS)、免疫源性一氧化氮合酶(iNOS)抑制剂7-硝基吲唑(7-NI)、氨基胍(AG),观察其对死亡的影响.结果:局灶性脑缺血/再灌注后半暗带内神经元死亡以凋亡方式为主,7-NI、AG可使细胞凋亡数量明显减少(方差分析P＜0.05).结论:局灶性脑缺血/再灌注半暗带内神经元死亡以凋亡为主,抑制NO的形成可减少神经元