【摘 要】
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本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开
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本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能进一步减小注入Mg杂质的再分布,使电激活率大大提高。卢瑟福沟道分析则表明,相同注入条件下,InP中的辐射损伤较GaAs中大得多,大剂量注入损伤经热退火难于完全消除.
In this paper, the electrical properties and radiation damage behaviors of InP and GaAs implanted with Mg ~ + ions were studied.The van der Pauw method and electrochemical CV measurements show that the rapid thermal annealing method is superior to the conventional thermal annealing method, In combination with rapid thermal annealing, the redistribution of Mg implants can be further reduced and the electrical activation rate greatly increased. Rutherford channel analysis shows that under the same implantation conditions, the radiation damage in InP is much larger than that in GaAs, and high dose implantation damage can not be completely eliminated by thermal annealing.
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