【摘 要】
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用开管系统,液相外延法在N—型GaP衬底上生长了P型GaP层,锌通过汽相加入。在锌—镓—GaP溶液是理想溶液,以及1100℃时锌的分布系数是0.072并与锌的浓度无关的假设下,计算了外
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用开管系统,液相外延法在N—型GaP衬底上生长了P型GaP层,锌通过汽相加入。在锌—镓—GaP溶液是理想溶液,以及1100℃时锌的分布系数是0.072并与锌的浓度无关的假设下,计算了外延层中锌的浓度,结果跟实验值符合的很好。用开管系统的液相外延法能重复地控制锌的浓度。在SSD GaP薄片上用一次液相外延法重复生长出了高效率的发红光的结,至今得到的最高量子效率达10.1％。
With an open tube system, a P-type GaP layer was grown on an N-type GaP substrate by liquid-phase epitaxy and zinc was added by vapor phase. The zinc concentration in the epitaxial layer was calculated under the assumption that the zinc-gallium-gallium sulfide solution was the ideal solution and the zinc distribution coefficient was 0.072 at 1100 ° C and was independent of zinc concentration. The results were in good agreement with the experimental data. The liquid phase epitaxy method of open tube system can repeatedly control the concentration of zinc. High-efficiency red-emitting junctions were repeatedly grown by one-shot liquid-phase epitaxy on SSD GaP wafers, up to a maximum quantum efficiency of 10.1%.
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