【摘 要】
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FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前
【机 构】
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FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 ,提供了理论和实验基础
FL ASH During the rubbing operation, hole injection by band tunneling will generate charged centers (including interface states and traps) in the Si O2 / Si O2 interface and oxide layer, affecting the reliability of the circuit. Pump method to determine the spatial distribution of interface states and trap charges by changing the charge pump current before and after stress, providing the theoretical and experimental basis for the design and improvement of reliability of the FL ASH unit
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